激发低压变频器设备性能的CMOS基准电压源革命用于LDO稳压器的创新设计
在当今快速发展的电子技术领域，随着便携式电子产品的普及，对电源供电性能的要求日益提升。低压差（Low Dropout：LDO）线性稳压器因其高效率、高稳定性和简单结构，在便携式设备中得到了广泛应用，尤其是在锂电池充电和低压数字电路供电方面。为了实现更高性能的LDO穗压器设计，我们需要一款精确可靠的CMOS基准电压源。
本文旨在探讨用于LDO穗压器的一款简易且实用的CMOS基准电源设计。这款设计不仅能够提供静态极小的35pA 电流，同时也保证了基准电压度系数为士15xlO―Vt，低铎时抑制比达63dB，以及0.005 的调整率。这些参数对于确保输出稳定至关重要。
关键在于误差放大器输出驱动调整元件，该部分通过改变导通阻抗来实现最终稳定的输出。在这个过程中，KREF 输出与误差放大器相连，其误差则被放大并通过调整元件进行微调，以达到精确控制输出。
带隙（Bandgap）基准电路由于其高精度已成为模拟集成芯片中的常见选择。一个优质带隙基准可以保持一定范围内基本不受温度、工艺参数及供应電壓变化影响。此外，由于过于复杂化的设计会增加功耗，从而降低整体效率，本文作者提出了一个简单化带隙回路架构，并采用增益较大的放大机制以减少温度系数漂移，同时通过对偏置环路精心设计以获得良好的供应抑制能力。
综上所述，这种创新型带隙基准解决方案能够提供出色的性能，即使在面对挑战性的环境条件下，也能保持卓越表现，为便携式电子产品提供坚实保障。
