三星现野心五年内超越台积电
据韩国经济日报报道，三星电子芯片业务负责人本周表示，三星电子将在五年内超越规模更大的代工竞争对手台积电，在芯片加工领域占据领先地位。
三星半导体业务总裁兼负责人Kyung Kye-hyun称，虽然三星目前在芯片加工技术上落后于台积电，但该公司有望在2纳米加工节点上领先这家中国公司。
“老实说，我们的代工技术比台积电落后一两年。然而，一旦台积电加入到2纳米技术的竞争中，三星将引领潮流，”Kyung Kye-hyun在韩国科学技术院的一次演讲中说到。“在五年内，我们可以超越台积电。”
去年，三星电子在全球率先基于全环绕栅极（Gate-All-Around,GAA）晶体管结构量产了3纳米芯片。GAA架构是下一代代工微细加工工艺，是一项关键技术，可以改善静电特性，从而提高性能，降低功耗和优化芯片设计。
三星表示，与之前的处理节点相比，3纳米GAA技术的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面积减少了45%。
三星电子此前表示，计划从2025年开始量产基于GAA架构的2纳米芯片。
台积电和其他代工企业使用的是一种被称为鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺的技术。由于其结构酷似鱼的背鳍，因此也被称为鳍式晶体管。
报道称，台积电计划从2纳米节点开始将GAA技术应用于芯片制造工艺。
“三星的4纳米技术落后台积电两年，而我们的3纳米技术落后大约一年。但当台积电进入2纳米工艺时，情况将发生变化。”Kyung Kye-hyun说。“客户对我们的GAA技术很满意。几乎所有的大公司都在与我们合作，尽管我不能透露他们的名字。三星的代工客户群正在增长。”
对于美国对芯片制造商在华业务的政策收紧，他表示三星可以承受。
他表示，“虽然我们在中国西安的工厂投资需要获得批准，但我认为这不会对我们的整体业务造成任何重大压力。我们将努力化危为机。”
华盛顿和北京之间不断升级的半导体竞争给等全球芯片制造商带来了风险，包括三星及其本土竞争对手SK海力士。一名美国政府高级官员今年2月表示，美国可能会对三星和SK海力士在华可以发展的技术水平设定上限。
在中国市场，三星电子在西安设有一家NAND闪存工厂，在苏州则运营着一家芯片封装工厂。三星西安工厂占该公司全球NAND产量的近40%。自2021年以来，三星已在西安工厂投资258亿美元。
去年，三星公布其中国业务的销售收入为 35.63 万亿韩元